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(受傷的、被搶被撞鑰匙)柯萬財 guest (受傷的、被搶被撞鑰匙)柯萬財 2020/12/13 16:51

弟子規
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弟子規
作者：李毓秀　清

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姊妹计划姊妹计划: 百科·语录·数据项

目录

1 總序
2 入則孝
3 出則弟
4 謹
5 信
6 汎愛眾
7 親仁
8 餘力學文

總序

弟子規、聖人訓、首孝弟、次謹信
汎愛眾、而親仁、有餘力、則學文
入則孝

父母呼、應勿緩、父母命、行勿懶
父母教、須敬聽、父母責、須順承
冬則温、夏則凊、晨則省、昏則定
出必告、反必面、居有常、業無變
事雖小、勿擅為、苟擅為、子道虧
物雖小、勿私藏、苟私藏、親心傷
親所好、力為具、親所惡、謹為去
身有傷、貽親憂、德有傷、貽親羞
親愛我、孝何難、親憎我、孝方賢
親有過、諫使更、怡吾色、柔吾聲
諫不入、悅復諫、號泣隨、撻無怨
親有疾、藥先嘗、晝夜侍、不離床
喪三年、常悲咽、居處變、酒肉絕
喪盡禮、祭盡誠、事死者、如事生
出則弟

兄道友、弟道恭、兄弟睦、孝在中
財物輕、怨何生、言語忍、忿自泯
或飲食、或坐走、長者先、幼者後
長呼人、即代叫、人不在、己即到
稱尊長、勿呼名、對尊長、勿見能
路遇長、疾趨揖、長無言、退恭立
騎下馬、乘下車、過猶待、百步餘
長者立、幼勿坐、長者坐、命乃坐
尊長前、聲要低、低不聞、卻非宜
進必趨、退必遲、問起對、視勿移
事諸父、如事父、事諸兄、如事兄
謹

朝起早、夜眠遲、老易至、惜此時
晨必盥、兼漱口、便溺回、輒淨手
冠必正、紐必結、襪與履、俱緊切
置冠服、有定位、勿亂頓、致污穢
衣貴潔、不貴華、上循分、下稱家
對飲食、勿揀擇、食適可、勿過則
年方少、勿飲酒、飲酒醉、最為醜
步從容、立端正、揖深圓、拜恭敬
勿踐閾、勿跛倚、勿箕踞、勿搖髀
緩揭簾、勿有聲、寬轉彎、勿觸棱
執虛器、如執盈、入虛室、如有人
事勿忙、忙多錯、勿畏難、勿輕略
鬥鬧場、絕勿近、邪僻事、絕勿問
將入門、問孰存、將上堂、聲必揚
人問誰、對以名、吾與我、不分明
用人物、須明求、倘不問、即為偷
借人物、及時還、後有急、借不難
信

凡出言、信為先、詐與妄、奚可焉
話說多、不如少、惟其是、勿佞巧
奸巧語、穢污詞、市井氣、切戒之
見未真、勿輕言、知未的、勿輕傳
事非宜、勿輕諾、苟輕諾、進退錯
凡道字、重且舒、勿急疾、勿模糊
彼說長、此說短、不關己、莫閒管
見人善、即思齊、縱去遠、以漸躋
見人惡、即內省、有則改、無加警
唯德學、唯才藝、不如人、當自礪
若衣服、若飲食、不如人、勿生戚
聞過怒、聞譽樂、損友來、益友卻
聞譽恐、聞過欣、直諒士、漸相親
無心非、名為錯、有心非、名為惡
過能改、歸於無、倘揜飾、增一辜
汎愛眾

凡是人、皆須愛、天同覆、地同載
行高者、名自高、人所重、非貌高
才大者、望自大、人所服、非言大
己有能、勿自私、人所能、勿輕訾
勿諂富、勿驕貧、勿厭故、勿喜新
人不閒、勿事攪、人不安、勿話擾
人有短、切莫揭、人有私、切莫說
道人善、即是善、人知之、愈思勉
揚人惡、即是惡、疾之甚、禍且作
善相勸、德皆建、過不規、道兩虧
凡取與、貴分曉、與宜多、取宜少
將加人、先問己、己不欲、即速已
恩欲報、怨欲忘、報怨短、報恩長
待婢僕、身貴端、雖貴端、慈而寬
勢服人、心不然、理服人、方無言
親仁

同是人、類不齊、流俗眾、仁者希
果仁者、人多畏、言不諱、色不媚
能親仁、無限好、德日進、過日少
不親仁、無限害、小人進、百事壞
餘力學文

不力行、但學文、長浮華、成何人
但力行、不學文、任己見、昧理真
讀書法、有三到、心眼口、信皆要
方讀此、勿慕彼、此未終、彼勿起
寬為限、緊用功、工夫到、滯塞通
心有疑、隨札記、就人問、求確義
房室清、牆壁淨、几案潔、筆硯正
墨磨偏、心不端、字不敬、心先病
列典籍、有定處、讀看畢、還原處
雖有急、卷束齊、有缺壞、就補之
非聖書、屏勿視、蔽聰明、壞心志
勿自暴、勿自棄、聖與賢、可馴致


PD-icon.svg 本清朝作品在全世界都屬於公有領域，因為作者逝世已經超過100年。
分类：

李毓秀清朝啟蒙書籍

葉青峻 guest 葉青峻 2021/03/10 11:01

常見的半導體材料有矽、鍺、砷化鎵等
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晶片測試
晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。如果If the number of dies—the 積體電路s that will eventually become chips—當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時，晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。
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晶片測試
晶片處理高度有序化的本質增加了對不同處理步驟之間度量方法的需求。晶片測試度量裝置被用於檢驗晶片仍然完好且沒有被前面的處理步驟損壞。如果If the number of dies—the 積體電路s that will eventually become chips—當一塊晶片測量失敗次數超過一個預先設定的閾值時，晶片將被廢棄而非繼續後續的處理製程。

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步驟列表

晶片處理
濕洗
平版照相術
光刻Litho
離子移植IMP
蝕刻（干法蝕刻、濕法蝕刻、電漿蝕刻）
熱處理
快速熱退火Annel
熔爐退火
熱氧化
化學氣相沉積 (CVD)
物理氣相沉積 (PVD)
分子束磊晶 (MBE)
電化學沉積 (ECD)，見電鍍
化學機械平坦化 (CMP)

IC Assembly and Testing 封裝測試
Wafer Testing 晶片測試
Visual Inspection外觀檢測
Wafer Probing電性測試
FrontEnd 封裝前段
Wafer BackGrinding 晶背研磨
Wafer Mount晶圓附膜
Wafer Sawing晶圓切割
Die attachment上片覆晶
Wire bonding焊線
BackEnd 封裝後段
Molding模壓
Post Mold Cure後固化
De-Junk 去節
Plating 電鍍
Marking 列印
Trimform 成形
Lead Scan 檢腳
Final Test 終測
Electrical Test電性測試
Visual Inspection光學測試
Baking 烘烤
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有害材料標誌

許多有毒材料在製造過程中被使用。這些包括：

有毒元素摻雜物比如砷、硼、銻和磷
有毒化合物比如砷化三氫、磷化氫和矽烷
易反應液體、例如過氧化氫、發煙硝酸、硫酸以及氫氟酸

工人直接暴露在這些有毒物質下是致命的。通常IC製造業高度自動化能幫助降低暴露於這一類物品的風險。
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Device yield

Device yield or die yield is the number of working chips or dies on a wafer, given in percentage since the number of chips on a wafer (Die per wafer, DPW) can vary depending on the chips' size and the wafer's diameter. Yield degradation is a reduction in yield, which historically was mainly caused by dust particles, however since the 1990s, yield degradation is mainly caused by process variation, the process itself and by the tools used in chip manufacturing, although dust still remains a problem in many older fabs. Dust particles have an increasing effect on yield as feature sizes are shrunk with newer processes. Automation and the use of mini environments inside of production equipment, FOUPs and SMIFs have enabled a reduction in defects caused by dust particles. Device yield must be kept high to reduce the selling price of the working chips since working chips have to pay for those chips that failed, and to reduce the cost of wafer processing. Yield can also be affected by the design and operation of the fab.

Tight control over contaminants and the production process are necessary to increase yield. Contaminants may be chemical contaminants or be dust particles. "Killer defects" are those caused by dust particles that cause complete failure of the device (such as a transistor). There are also harmless defects. A particle needs to be 1/5 the size of a feature to cause a killer defect. So if a feature is 100 nm across, a particle only needs to be 20 nm across to cause a killer defect. Electrostatic electricity can also affect yield adversely. Chemical contaminants or impurities include heavy metals such as Iron, Copper, Nickel, Zinc, Chromium, Gold, Mercury and Silver, alkali metals such as Sodium, Potassium and Lithium, and elements such as Aluminum, Magnesium, Calcium, Chlorine, Sulfur, Carbon, and Fluorine. It is important for those elements to not remain in contact with the silicon, as they could reduce yield. Chemical mixtures may be used to remove those elements from the silicon; different mixtures are effective against different elements.

Several models are used to estimate yield. Those are Murphy's model, Poisson's model, the binomial model, Moore's model and Seeds' model. There is no universal model; a model has to be chosen based on actual yield distribution (the location of defective chips) For example, Murphy's model assumes that yield loss occurs more at the edges of the wafer (non-working chips are concentrated on the edges of the wafer), Poisson's model assumes that defective dies are spread relatively evenly across the wafer, and Seeds's model assumes that defective dies are clustered together.[25]

Smaller dies cost less to produce (since more fit on a wafer, and wafers are processed and priced as a whole), and can help achieve higher yields since smaller dies have a lower chance of having a defect. However, smaller dies require smaller features to achieve the same functions of larger dies or surpass them, and smaller features require reduced process variation and increased purity (reduced contamination) to maintain high yields. Metrology tools are used to inspect the wafers during the production process and predict yield, so wafers predicted to have too many defects may be scrapped to save on processing costs.[26]

0935811450 guest 0935811450 2021/03/11 17:09

裁判字號：
臺灣高雄地方法院 107 年審易字第 2011 號刑事判決
裁判日期：
民國 107 年 12 月 24 日
裁判案由：
傷害
臺灣高雄地方法院刑事判決　　　　　 107年度審易字第2011號
公　訴　人　臺灣高雄地方檢察署檢察官
被　　　告　陳宜斌


　
上列被告因傷害案件，經檢察官提起公訴（107 年度偵字第0000
0 號），本院判決如下：
主 文
本件公訴不受理。
理 由
一、公訴意旨略以：被告陳宜斌於民國107 年7 月22日18時10分
許，在高雄市○○區○○○路000 號之果菜市場內，因停車
問題與告訴人楊雅淳發生爭執，竟基於傷害之犯意，徒手拉
扯告訴人並毆打告訴人之頭部，致告訴人受有頭部挫傷併輕
度眩暈、肢體多處挫擦傷之傷害等情。因認被告涉犯刑法第
277 條第1 項之傷害罪嫌等語。
二、按告訴乃論之罪，告訴人於第一審辯論終結前，得撤回其告
訴；又告訴經撤回者，法院應諭知不受理之判決，並得不經
言詞辯論為之，刑事訴訟法第238 條第1 項、第303 條第3
款及第307 條分別定有明文。
三、本件被告因傷害案件，經檢察官提起公訴，認被告係犯刑法
第277 條第1 項之傷害罪。依同法第287 條前段之規定，須
告訴乃論。茲據告訴人於本院審理中，具狀聲請撤回其告訴
，有撤回告訴狀可參（詳本院卷第53頁），揆諸前開說明，
爰不經言詞辯論，逕為諭知不受理之判決。
據上論斷，應依刑事訴訟法第284 條之1 、第303 條第3 款、第
307 條，判決如主文。
中 華 民 國 107 年 12 月 24 日
刑事第五庭 法 官 方百正
以上正本證明與原本無異。
如不服本判決應於收受判決後10日內向本院提出上訴書狀，並應
敘述具體理由。其未敘述上訴理由者，應於上訴期間屆滿後20日
內向本院補提理由書(均須按他造當事人之人數附繕本)「切勿逕
送上級法院」。
中 華 民 國 107 年 12 月 24 日
書記官 李燕枝






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韓國瑜PKU高嘉瑜NTU宋楚瑜UCB(IP) guest 韓國瑜PKU高嘉瑜NTU宋楚瑜UCB(IP) 2021/08/14 04:01

https://youtu.be/FqVHthbdG8w